Компания Samsung официально анонсировала старт массового производства и коммерческих поставок памяти нового поколения HBM4. Этот релиз стал знаковым, так как Samsung первой вывела данную технологию на уровень реального продукта. Ключевым преимуществом новинки является применение передового 4-нм техпроцесса для логического слоя, наряду с шестым поколением чипов DRAM, выполненных по технологии 10-нм класса (1c). Это позволило достичь впечатляющих характеристик без значительных архитектурных изменений.

Скорость передачи данных достигла 11,7 Гбит/с, а максимальная составила 13 Гбит/с, в то время как пропускная способность выросла до 3,3 ТБ/с на стек, что в 2,7 раза больше, чем у памяти HBM3E. Эти достижения имеют критическое значение для повышения эффективности обучения больших языковых моделей искусственного интеллекта. Несмотря на удвоение контактов ввода-вывода (с 1024 до 2048), удалось добиться роста энергоэффективности на 40%.

На сегодняшний день компания предлагает модули объемом 24 и 36 ГБ (12 слоев), в то время как в планах — выведение на рынок 16-слойных модулей объемом 48 ГБ. Samsung предсказывает значительное увеличение спроса на эту память: продажи HBM в 2026 году могут удвоиться по сравнению с 2025 годом. В дополнение к расширению производства HBM4, тестирование улучшенной версии HBM4E запланировано на вторую половину 2026 года, а с 2027 года компания начнет выпуск памяти, адаптированной под специфические требования клиентов.